Техника - молодёжи 2008-06, страница 45
_wv^.tm;mag_az[n1ru_ полярности потенциалов, которые «следовало» прикладывать к иголочкам... и обнаружил эффект усиления, это было вечером 15.12.1947. Очень быстро Бардин и Шокли поняли, что работает совсем не «эффект поля», а принципиально иной «транзисторный эффект» с его трёхзвенной формулой: иголочка, смещённая в прямом направлении («эмиттер») инжектирует дырки в кристалл («базу»), они распространяются к другой иголочке, смещённой в обратном направлении («коллектор») и захватываются ею. Патент на точечный транзистор получили Бардин и Браттейн, на плоскостной — Шокли. За железным занавесом Во время войны наша страна понесла наибольшие потери и разрушения в сравнении с другими странами-победи-тельницами, и, тем не менее, именно мы первыми устремились вдогонку за транзисторными открытиями американцев. А ситуация в мире была очень непростой, началась «холодная война», и страна стремилась не отставать в оружейных технологиях от США, недавнего союзника, а теперь — потенциального противника. Стремительно развивались отечественные атомный, ракетный, радиолокационный проекты, на транзисторный таких же средств и внимания не хватило, поначалу не всем была очевидна и оборонная значимость транзисторов. Это негативно сказалось в долгосрочной перспективе развития электроники, а в то время — в задержке старта на «лишних» 2-3 г. «Железный занавес», отгородивший страну от мира, заставлял рассчитывать только на внутренние ресурсы, на свои полупроводники, технологические и измерительные установки. Информации из американских публикаций для воспроизведения их технологий было тоже недостаточно. А воспроизводить надо было очень быстро и при этом почти одновременно организовывать производство, того неспешного разбега, какой могла себе позволить группа Шокли в 1945 г., у нас быть не могло. Дело в том, что к началу 1950-х гг. реальный спрос на транзисторы заявляли радиовзрыватели зенитных снарядов, головки наведе- *шф Транзисторы в разных корпусах ния ракет, электронно-вычислительные машины второго поколения. Во многом мы повторили путь американцев. В конце сороковых в стране работало две детекторные группы: «германиевая» (С.Г. Калашников, Н.А. Пнин) в московском радиолокационном ЦНИИ-108 и «кремниевая» (А.В. Красилов) — во фрязинском электровакуумном НИИ-160. Возглавлял радиолокационную тематику и всё связанное с нею А.И. Берг, легендарный человек, совместивший в одном лице академика, адмирала и зам. министра. После получения первой информации об американских транзисторах он дал соответствующее задание во Фрязино, и уже весной 1949 г. американский эксперимент был под руководством А.В. Краси-лова воспроизведён его дипломницей С.Г. Мадоян, а затем другой его дипломник Ф.А. Щиголь начал разработку промышленной технологии точечных транзисторов 01, С2. В конце 1952 г. А.И. Бергом была инициирована постановка правительственной межотраслевой разработки «Плоскость» по созданию германиевых плоскостных транзисторов. Ведущую роль в её выполнении сыграли учёные Академии наук: московского ФИАНа под руководством Б.М. Вула и ленинградского Физтеха под руководством В.М. Тучкевича. Именно на этой работе и в последовавших за ней разработках силовых диодов и тиристоров впервые заявило о себе молодое поколение учёных, составивших впоследствии славу и гордость нашей полупроводниковой науки: Ж.И. Алфёров, И.В. Грехов, Ю.В. Гуляев, А.А. Лебедев, А.В. Ржанов, В.И. Стафеев, В.Е. Челноков, А.П. Шо-тов. От промышленности в разработке участвовал ЦНИИ-108 (С.Г. Калашников и др.) и созданный летом 1953 г. специальный транзисторный НИИ-35 (ныне «Пульсар»), в который из Фрязино перешла группа А.В. Красилова. Общим итогом разработки стало начало в 1954-55 гг. полупромышленного производства сплавных плоскостных транзисторов П1, П2. В середине 1950-х гг. началась целенаправленная подготовка специалистов по полупроводникам в МГУ, МФТИ, МЭИ, МИФИ, МХТИ, в ленинградских ЛЭТИ и ЛПИ, киевском университете; к производству и разработке транзисторов было подключено множество заводов с ОКБ в Москве, Ленинграде, Новосибирске, Воронеже, Риге и других городах, потен- Зд Тонкоплёночный транзистор циал отрасли стремительно нарастал. Перестали довольствоваться копированием американцев, начали изобретать своё: высокочастотные сплавно-диффу-зионные (М.М. Самохвалов), термокон версионные (В.А. Стружинский, Ю.П. Докучаев), планарные транзисторы. Но всё это были германиевые приборы, а американцы уже перешли на кремний, который обеспечивал более высокую рабочую температуру транзисторов, надёжность и стабильность. Вновь пришлось догонять, накопленный опыт позволял сделать это быстрее: в начале 1960-х в стране был создан высококачественный кремний (Б.А. Сахаров), в 1963-65 гг. разработана планар-ная технология (А.Ф. Трутко, Ф.А. Щиголь, Е.З. Мазель), и началась современная эпоха кремниевых планарных транзисторов. К середине 1970-х страна уверенно вышла на второе, после США, место в мире, имея в производстве практически всю номенклатуру транзисторов, которой обладали американцы. Следует ещё назвать тех, кто в самом начале отечественной транзисторной истории поверил в великое будущее этих приборов и всеми силами продвигал их в радиоэлектронику; это: Т.М. Агаханян, Ю.А. Каменецкий, Б.Н. Кононов, И.П. Степаненко, Я.А. Федотов, Б.И. Хазанов и многие другие. С началом развития микроэлектроники транзистор стал «приходить» к потребителям в качестве элемента микросхемы, но это уже другая история. Ш Юрий Носов, доктор технических наук, профессор, заслуженный деятель науки и техники РФ, дважды лауреат Гэспремий К началу 1950-х гг. реальный спрос на транзисторы заявляли радиовзрыватели зенитных снарядов, головки наведения ракет, электронно - вычислительные машины второго поколения. |
