Юный техник 1998-03, страница 80

концам Сазового кристалла приложить разность потенциалов, потенциал у р- п перехода будет; 1меть некоторое промежуточное значение, or |ределяемое сопротивлениями участков базового кристалла R61, R62 Это поясняет эквивалентная схема приСорп на рисунке 1.

Упомянутые участки кристалл .а имеют самостоятельные выводы, их называют < базой 1»- и «базой 2», вывод от р- п перехода именую г эмипе-ром Если н&11ряжение UaC1 ниже падение напряжения на R61, р -п пере-

РАЗРЕШИТЕ ПРЕДСТАВИТЬ: ДИОДОТРАНЗИСТОР

Этот уникальный полупроводниковый прибор в обширной гамме отечественной продукции представлен единственной моделью, носящей обозначение КТ117 Его электрические характеристики таковы, что можно относить его и к диодам, и к транзисторам. А интсрес к нему вызван гем. что он позволяет заметно упростить исполнение неко^тог>ых узлов электронной автоматики Поэтому познакомимся с ним ближе.

Представьте полупроводниковый кристалл с электронным thi юм проводимости, разделенный пополам участком с дырочным типом проводимости На их границе возникнет р-п переход, обладающ! м как у обычного диода, односторонней проводимостью Если к противоположным

ход запер г При обратном расположении уровней Hai 1ряжения переход отпирается, втекающие в базу 1 носители зарядл «дырки» резко понижают coi 1ритивленис R6¹, и присо единенная к выводу 61 нагрузка (све-тодиод, обмотка реле) включается.

Единственный р n nej »еход и на личие дЕух баз, обеспечивающих прибору коммутационные свойств, даюг основании нязь (вать его *двух-базовым диодом»; с другой стороны. три вывода и способность вю почать и выключать нагрузку при единичном р~ п ч юроге» с тем же основанием позволяют именовать прибор «одноперехедным транзисто-

РисЛ

61 Rei

О НГ>

Rk 62

-ei—О

Рис.2

VD1 ⁴

ФД-1

R1 Ю'.к

- n r?

^ J 220k

VTf КГ. I™

CI 0.047мН

4

'H 2ГП

f Ft