Техника - молодёжи 2008-08, страница 15
ние, - общество спохватывается: «А почему наука не предсказала? Почему нас не уберегла?..» Но наука ведь не всемогуща. Чтобы она могла более полно отвечать на запросы общества, её надо развивать, совершенствовать. А для этого нужны определённые усилия и средства. К счастью, по всей видимости, это становится очевидным для руководителей нашей страны. Надеюсь, что самые худшие для отечественной науки времена миновали. К нам снова потянулась молодёжь. Недавно я подписывал список для допуска на территорию ФИАН трёх десятков молодых людей - на экскурсию. У нас есть кафедра в МФТИ, специальный факультет в МИФИ, очень хорошие отношения с МГУ. Так что мы ведём работы со студентами, стараемся их привлекать в наши лаборатории. Проблема в том, что многие из этих студентов - не москвичи. А значит, тут большие трудности с регистрацией, жильём и т.д. Сейчас у нас разворачивается программа по обеспечению жильём молодых сотрудников. Пока она касается не студентов, а уже защитившихся учёных. Недавно мы впервые за многие годы получили две квартиры для своих сотрудников. Мало, конечно, но это уже лучше, чем ничего... По случайному стечению обстоятельств разговаривали мы с О.Н. Крохиным как раз в тот день, когда в Белом доме, на совещании с участием премьер-мини-стра В.В. Путина решался вопрос об увеличении в 2,5 раза окладов академикам, членам-корреспон-дентам РАН и членам отраслевых академий. Там же был затронут вопрос и о строительстве дешёвого жилья для молодых научных сотрудников. Так что лёд, похоже, тронулся. Ш Беседу вели Владимир Белов и Станислав Зигуненко и гетероструктурах постоянной кристаллической решётки - только таким образом можно получить гетеропереходы с плоскими внутренними границами. Сегодня известно множество решёточно-согласо-ванных гетеропар, каждая из них - InAs, GaAs, InP, GaP -имеет свою ширину запрещённой зоны и постоянную решётки. Более того, меняя состав четырёхкомпонентного раствора lnxGa1xAsyP1y, где х и у - доли различных компонент, можно получать любые промежуточные значения постоянной решётки и ширины запрещённой зоны. Рис. 2. Полупроводниковый полосковый лазер с двойной гетерострукторой Рис. 3. Перспективные лазеры с двойной гетероструктурой: а) одномодовый вертикальный лазер с фазированными квантово-размерными структурами (мощность излучения 40 Вт при 40 каналах генерации); б) лазер с распределённой обратной связью; в) лазер с распределёнными брэгговскими отражателями: 1 - активный слой; 2 - подложка; 3 - волноводный слой Полупроводниковый полосковый лазер с двойной гетерострукторой р-электрод Полоска Изолятор (оксид) ^ \ p+-AIGaAs--- p-AIGaAs Активный слой р-GaAs n-AIGaAs n- GaAs л -электрод--^ Излучающее пятно Имплантация КРС" Активный слой с КРС (л каналов генерации) ItyWV3 ■ 2 Лазерные гетероструктуры устроены таким образом, чтобы их активная область - средний слой, в котором происходит генерация излучения - имела самую узкую запрещённую зону и поэтому служила квантовой ямой для электронов и дырок (электронное ограничение), рис. 2. Другое их достоинство - различие показателей преломления активного слоя и граничащих с ним слоёв, что превращает такие структуры в оптический волновод, который удерживает фотоны в активной области и обеспечивает их направленное распространение (оптическое ограничение). Для улучшения характеристик излучения п/п лазера уменьшают ширину активной зоны (токовое ограничение). Для этого электрод р-типа изготавливают в виде узкой полоски; вся структура предварительно покрывается слоем изолятора - всюду, за исключением этой узкой полоски. Типичная длина кристалла полупроводника 100-500 мкм, ширина полоски - до нескольких десятков микрометров. Свет в результате излучается через маленькую площадку в торце устройства. К настоящему времени разработано много типов лазерных гетероструктур. Кроме полоскового лазера, к наиболее перспективным относятся лазеры вертикального излучения с фазированной квантово-размерной структурой, рис. 3 (а), лазеры с распределённой обратной связью в виде дифракционной решётки, сформированной по волноводному слою, рис. 3 (б), и лазеры с распределёнными брэгговскими отражателями, рис. 3 (в). Более подробно о полупроводниковых лазерах, об их применении и перспективах развития можно прочитать в статьях одного из создателей двойных гетероструктур Ж. И. Алферова: Алфёров Ж.И. Физика на пороге XXI века, http://rc.nsu.ru/text/metodics/alferov.html Алфёров Ж.И. Двойные гетероструктуры: Концепция и применения в физике, электронике и технологии, www.ufn.ru/archive/russian/abstracts/abst2713.htmi Ш Валерий Валеев 13 |
