Техника - молодёжи 2009-06, страница 6
Люди науки 2009 №0БТМ р а метр о в решёток в гетероструктурах GaP(, 15AS(,g5-GaAs не позволяет реализовать потенциальные преимущества ДГС. В то время сотрудник моей группы Д,Н. Третьяков сообщил мне, что с мелкими кристаллами твёрдых растворов AltGa,_yAs различных составов, полученными два года назад путём охлаждения из расплава и положенными А.С. Бор-шевским в ящик стола, ничего за это время не случилось. Тотчас же стало ясно, что твёрдые растворы AlsGa,_sAs являются химически устойчивыми и подходящими для изготовления долгожи-вуших гетероструктур и приборов. Изучение фазовых диаграмм и кинетики роста в этой сист еме, а также разработка модифицированного метода жидкофаз-ной эпитаксии (ЖФЭ), пригодного для роста гетероструктур, вскоре привели к созданию первой решёточно-согласо-ванной AlGaAs-гетероструктуры. Когда мы опубликовали первую работу на эту тему, мы были счастливы считать себя первыми, кто обнаружил уникальную, фактически идеальную, решёточно-со-гласованную систему для GaAs; но, как это часто случается, одновременно и независимо такие же результаты были получены X. Руппрехтом и Дж. Вудолом в Исследовательском центре Т Уотсона корпорации IBM. Дальнейший прогресс в области полупроводниковых гетероструктур был стремительным. Прежде веет, мы экспериментально подтвердили уникальные инжекционные свойства широкозонных эмиттеров и эффект суперин-жекции, продемонстрировали стимулированное излучение в ДГС AlGaAs, установили зонную диаграмму гетероперехода Al^Gal_As-GaAs, тщательно изучили люминесцентные свойства и диффузию носителей в плавном гетеропереходе, а также чрезвычайно интересные особенности протекания тока через гетеропереход, например диагональные туннельно-рекомбинанионные перехо ды непосредственно между дырками из узкозонной и электронами из широкозонной составляющих гетероперехода. В это же время мы создали большую часть наиболее важных приборов, в которых были реализованы основные преимущества гетероструктур: — низкопороговые ДГС-лазеры, работающие при комнатной температуре, в том числе в непрерывном режиме; — высокоэффективные светодиоды на одиночной гетероструктуре (ОГС) и на ДГС; — солнечные элементы на гетероструктурах; — биполярные транзисторы на гетероструктурах; — тиристорные р-п-р-п-переключа-тели на гетероструктурах. Сначала быстро деградировавшие гетеролазеры в середине 70-х гг. стали одной из самых долговечных полупроводниковых компонент — со сроком службы в десятки и сотни тысяч часов, а солнечные батареи на станции «Мир» отработали 15 лет без заметного изменения параметров. Дальнейшее развитие физики и технологии полупроводниковых гетероструктур привело к огромному расширению спектральных возможностей на основе чегырёхкомпонентных твёрдых растворов InGaAsP, а затем и других. Развитие технологии выращивания гетероструктур привело к рождению физики низкоразмерного электронного газа — «квантовые ямы», «квантовые проволоки», «квантовые точки», «сверхрешётки». Как сказал при вручении нам Нобелевской премии профессор Торд Клаесон — председатель комитета по физике: «Полупроводниковые гетерост-руктуры можно рассматривать как лаборатории двумерного электронного газа... Они Mojyr быть уменьшены дальше, образуя одноразмерные квантовые каналы и нуль-мерные квантовые точки для будущих исследований». — Однако Нобелевскую премию «за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и онго-электроиики» пришлось ждать более тридцати лет... - Ну, слушайте, Нобелевская премия — это грандиозное событие в жизни любого учёного, которого можно ждать всю жизнь. Я был самым молодым из трёх лауреатов — американец Крёмер, получивший премию за теоретические исследования гетероструктур, был старше меня на два года, а Килби, изобретатель интегральных схем, — на семь лет. Виталий Лазаревич Гинзбург, который получил Нобелевскую премию в 2003 г. за открытие середины 50-х, ждал своего часа полвека, Пётр Леонидович Капица — более 30 лет. Так что я не исключение. Помню, когда у Гинзбурга спросили, какие чувства он испытал, когда Нобелевскую премию 2000 г. присудили мне, он ответил просто — «завидовал», - Почему именно вы произнесли речь на банкете в чест ь нобелевских лауреатов? Кстати, многие издания йогом писали, что вы тогда пошутили относительно присвоения одной премии трём учёным - мол, в России принято «соображать на троих». — Ничего подобного я не говорил. Есть традиция: каждый лауреат в своей области читает лекцию по работе, за которую он получает премию, в Стокгольмском университете, а затем, в день памяти Нобеля, после вручения премии, — банкет. От каждой номинации на банкете выступает лауреат. Мои коллеги Крёмер и Килби просили выступить меня. И там я произнёс следующую короткую речь: Ваши Величества, Ваши Королевские Высочества, Леди и джентльмены! Позвольте мне, прежде всего от имени моих коллег проф. Герберта Крёмера и д-ра Джека Килби, а также Одномодовые мощные полупроводниковые Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения лазеры, широко используемые в системах на открытом медном теплоотводе широкого спектра применений - от научных исследований считывания и записи информации на до оптических модулей лазерные диски 4 |
