Юный техник 1993-09, страница 79

Юный техник 1993-09, страница 79

звуковые, но и более высокие частоты — до сотен кГц, что позволит выявить неисправные высокочастотные каскады.

В приборе могут вместо указанной применяться некоторые другие микросхемы (например, K158JIA3), ячейки которых построены по той же логической схеме. Конденсаторы — МБМ, KJIC, резисторы — МЛТ, МТ и другие. Источником питания послужит батарея от карманного фонаря с напряжением 4,5 В. Телефон должен иметь обмотку с сопротивлением от 1,5 кОм и выше. Подойдут «наушники» ТОН-2. Коммутаторами S1...S3 могут служить обычные тумблеры. Управление прибором упростится, если их заменить на га-летный переключатель, рассчитанный на четыре положения и четыре направления. Соединение его секций с элементами прибора дано на рис. 2. Подключение выводов проверяемых транзисторов можно сделать посредством зажимов «крокодил» с узкими губками, связанных с прибором недлинными гибкими проводничками. На губки зажимов желательно надеть тонкостенные резиновые трубочки, чтобы исключить замыкания между выводами.

Собрав прибор, испытайте его вна-

с * «

.2 О.

CD jt

чале в режиме «пробник». Если в телефоне отчетливо прослушивается тон генератора, переведите переключатели в положение проверки транзисторов, присоедините последние, меняя тип проводимости. При необходимости, изменяя номиналы элементов Rl, С1, установите желаемую тональность колебаний; резисторами R2, R3 уточните четкость работы с транзисторами разных типов.

Г. ЮРЬЕВ

ОТ РЕДАКЦИИ. Если в результате проверок отбракованы некоторые экземпляры транзисторов, не спешите их выбрасывать. Даже если сохранился один из «р-n» переходов, полупроводниковый прибор пригодится в качестве диода. А транзистор в металлическом корпусе*с неисправным выводом базы способен выполнять функции фототранзистора — достаточно спилить часть его корпуса со стороны вывода от эмиттера. Свет изменяющейся интенсивности изменяет электрическое сопротивление участка коллектор — эмиттер, что позволяет использовать его в фотореле и других полезных устройствах.

(

t Т Т Г*-

3 DDi

а

»г

гт

9DD43 6DD12

-J"

-б®Р1.г

у | SPP1.2

R4

Г Г

РАЧОЫ

-J+

рис. 2

75