Сделай Сам (Знание) 2009-03, страница 93
Рис. 10 Рис. 9 после того, как он проник в дом (квартиру). В Москве был курьезный случай с такой электронной сигнализацией. Вор проник в квартиру, через несколько секунд начал звучать корабельный ревун. Результат — мошенник умер от разрыва сердца. На рис. 10 показана схема замедленного срабатывания сирены. Увеличивая емкость электролитического конденсатора, можно удлинить паузу. Схема подключается к предыдущей в точках К1 и К2 (левая часть схемы рис. 9 отбрасывается). Элементы схемы. Транзисторы VT1, VT2 - КТ814, реле К1 - РЭС-10 (паспорт РС4.524.302), электролитический конденсатор типа К50 на рабочее напряжение не менее чем 15 В; резисторы на мощность рассеяния 0,25 Вт. Во всех рассмотренных схемах есть один существенный недостаток. Так как «взводящий» схему тумблер Sb находится внутри квартиры (дома), сигнальное устройство будет работать все то время, пока вас нет дома. Это неудобно — беспокойство соседям и вашим ближним. Посмотрим, как можно выйти из этого положения. На рис. 11 приведена схема, работающая следующим образом. При нажатии кнопки G1 реле К1 срабатывает и своими контактами К1.1 отключает плюс питания от общей схемы (средний контакт К1.1 становится в левое положение). Горит лампочка HL1, сигнализируя о том, что можно выходить. По прошествии 20—30 секунд схема приходит в исходное состояние, и плюс питания подается в общую схему, которая переходит в состояние «взведено». Схема на рис. 11 подключается к предыдущей (рис. 10) в точках кЗ и к4. Элементы схемы. Транзисторы VT1, VT2- МП42 (МП26); электролитический конденсатор К50 на рабочее напряжение 15 В; резистор на мощность рассеяния 0,25 Вт; кнопка — любая; лампочка HL1 на 12 В; реле РЭС-10 (паспорт РС4.524.302). На рис. 12 показана схема, позволяющая включить систему охраны при касании ручки двери или личины замка (дверь деревянная). Естественно, что к ней можно подключить сирену, задержку звучания сирены и схему «вход-вы-ход» (см. рис. 9—11). Схема (рис. 12) имеет три контура. Первый — трансформатор полного сопротивления на полевом транзисторе VT1. Второй - контур, формирующий сигнал на транзисторах VT2 и VT3. Тре- Рис. 11 91 |
