Юный техник 1981-03, страница 12

Юный техник 1981-03, страница 12

таллы очень высокой чистоты, «Если очистка материалов до сотых долей процента считалась раньше пределом, то теперь речь идет о миллионных долях, а иногда и миллиардных долях процента», — говорил по этому поводу основоположник полупроводниковой техники в нашей стране академик А. В. Иоффе. То есть один атом примеси должен приходиться на сто миллиардов атомов кремния! Вот в чем еще одна причина поддержания особой чистоты производства.

Выращенные сверхчистые кристаллы режут алмазными пилами на тоненькие, в доли миллиметра, пластинки, полируют до зеркального блеска, наращивают слой окиси, которая служит защитной пленкой, и наконец наносят слой фоторезиста — светочувствительной эмульсии, которая в принципе мало чем отличается от той, что покрывает фотобумагу.

Теперь все готово к началу главного технологического процесса фотолитографии. Сквозь маску на заготовку направляется пучок света, и на поверхности фиксируется рисунок. После этого производится фотообработка. Затем с засвеченных участков удаляют защитную пленку. Теперь в тех местах образуются «окошки», сквозь которые внутрь вводят примеси п-типа (см. «Подробности для любознательных»). Потом берут вторую маску и все операции повторяют снова. Сюда вводят примеси р-типа. Так образуются микротранзисторы. С по-

□ В

щж 1

J

^^^ j д *

гШ^В

■ /

Ш''

Вид готовой интегральной схемы с подсоединенными выводами.

мощью третьей маски напыляют микронную пленку золота или серебра — эти металлы хорошо проводят электрический ток, их используют в качестве проводников. Четвертая маска укажет место для островков тончайшей угольной пыли — будущих резисторов... И в конце технологической линии мы получаем готовую интегральную схему.

Первые интегральные микросхемы насчитывали всего десятки элементов. Потом научились де-

Так выглядят заготовнн БИСов и сами интегральные схемы в футляре (рисунки в '/s натуральной величины).

0 и